5G推升需求,GaAs射频器件2020年总营收将达64.92亿美元


根据泰克咨询公司Takumi工业研究院的报告,由于移动通信设备的功能要求,以及随着5G的逐步发展,目前的RF前端设备制造商正在逐步采用GaAs晶圆作为器件的制造材料。建设,射频设备与4G时代相比,使用量成倍增加,预计GaAs射频设备市场将从2020年开始进入新的增长期。

拓跋工业研究院指出,由于射频前端设备的特性,包括高耐压,耐高温和高频使用,4G和5G时代有很高的需求。传统的Si器件如HBT和CMOS不能令人满意,制造商将逐渐将注视转移到GaAs化合物半导体上。 GaAs化合物半导体特别适用于无线通信中的高频传输,因为它们与Si器件相比具有快速的电子迁移率,并且具有抗干扰,低噪声和高耐压性。

由于4G时代的移动通信频率范围已经发展到1.8到2.7 GHz,传统的3G Si RF前端设备还不够,5G-pass市场正在进入高速增长期,其频段将会更宽(包括3~5GHz,20~30GHz),因此无论是4G还是5G通信应用,目前的RF器件都将逐渐被GaAs取代。

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根据目前的市场发展情况,在2018年下半年,由于手机销量下滑和中美贸易战,IDM工厂对GaAs通信设备收入的影响将会降低。据估计,IDM工厂的总收入将在2019年下降至58.35亿美元。减少8.9%。

然而,随着5G通信的不断发展,RF前端设备的数量将显着增加,例如功率放大器(PA)的使用,从3G时代的2个,4G的5-7个到5G的16个时代。在2020年整体收入增长的推动下,GaAs RF前端设备的总收入预计将达到64.92亿美元,增长11.3%。

总体而言,随着各国继续投资5G基站等基础设施,预计将在2021年和2022年达到峰值,与4G时代相比,RF前端设备的数量将翻一番,预计这将推动IDM的发展。 Skyworks的。佳迅)和Qorvo有了新的收入增长势头,而台湾的RF OEM制造业稳定,红杰科和环宇等,也将随着IDM工厂的扩张接受订单,并逐步摆脱阵营。接受经济衰退的阴霾。

文峪拓宇产业研究所

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